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3MBI150SX-120-02	120A/200V	/Attachment/20200611/71759458.pdf

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；

多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；

MOS管就是MOSFET的简称了；

IGBT和MOS管是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅AK的电流减小，或可控硅两端加反压，才能关断；

IGBT和MOS管频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

5E8B MG50Q6ES51A
5H6K MG35Q6ES50
5K2L MG25Q6ES51A
5M3C MG25Q6ES50