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  • FZ900R12KP4
    该参数决定了器件的最高工作电压,这是由内部PNP晶体管所能承受的击穿电压确定的。最大集电极电流包括在一定的壳温下额定直流电流脉宽最大电流。不同厂商产品的标称电流通常为壳温25℃或80℃条件下的额定直流电流。该参数与IGBT的壳温密切相关,而且由于器件实际工作时的壳温一般都较高,所以选用时必须加以重视。在一定的壳温下IGBT允许的最大功耗,该功耗将随壳温升高而下降。栅射间施加一定电压,在一定的结温及集电极电流条件下,集射间饱和通态压降。此压降在集电极电流较小时呈负温度系数,在电流较大时为正温度系数,这一特性使IGBT并联运行也较为容易。
  • FZ1000R25KF1
    晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector); 场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
  • FZ1000R33HE3
    在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路,主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存(RAM)和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。
  • FZ1000R33HL3
    在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。晶体管比电子管体积小很多,需要空间比电子管小很多,电器使用晶体管可以做的很小。无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。


  • FZ1200R12HP4​
    仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去,这对电子管收音机来说,是难以做到的。一开机就工作。例如,晶体管收音机一开就响,晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后,非得等一会儿才听得到声音,看得到画面。显然,在军事、测量、记录等方面,晶体管是非常有优势的。理论上和实际证明,不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作,而电子管的第二电源(乙电)最低也要数伏,最高也就1000多伏,所以晶体管能被用在更广泛的电路中,使其他优势得以发挥。
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