阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
电解电容器，最基本的结构是有极性的。这是由生产工艺决定的。电解电容的原理特性，跟无极性电容比较，容易用较少的材料和较小的体积实现大容量。但是由于有极性，只能在带有一定直流分量应用，不宜用于纯交流，并且电解电容的极性要顺应直流分量的方向，不能反接使用。
电解电容器的另类品种，是无极电解电容器。这种电解电容器也能象普通无极性电容那样用于纯交流，并且相同体积下比电容器可以做得更大容量，但体积要比相同容量的有极电解要大一倍左右。由于毕竟是电解电容的技术，所以它的交流特性不能完全跟电容看齐，界于电容与电解之间。相对于电容和有极电解电容，无极电解电容使用条件比较苛刻。而应用时要更多地把它当电解来看待。
两个电解电容并联当然不行。两个电解电容串联如果不加适当的偏置电压仍然不行。加偏置电压则相当复杂，尤其是该电容(两个串联)两端均不接地的情况(偏置电压必须浮动)。考虑到加偏置电压的复杂性，不如不用这个方法：将两只电容负级相连，在两只电容上并上大电流二级管，二级管正接电容负，二级管负接电容正并联当然还是有极性的，如果反并联的话，是无极性的了，不过是不能用的无极性。如果反向串联，也不可取，如果你去做下试验，会发现必定有一个电容承受反压，如果电压较大就会炸掉，除非你加特别的措施，总是让电压加在承受正压的电容上。
1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。
2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
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