一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ，常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 检测IGBT模块的的办法。
IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制的，IGBT管的等效电路如图1所示。由图1可知，当栅极加正电压时.MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的导通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断。IGBT管与M()SFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极、发射极间施加十几伏的直流电压.只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。IGBT的电路符号仍然没有统一的画法，图1(a)和图1(b)为IGBT管最常见的电路符号。
IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE的耐压值为20V，在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险。此外，在栅极一发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高。集电极则有电流流过，这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏。 擎住效应或自锁效应:沟道电阻上产生的压降.相当于对J3结施加正偏压。一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用。电流失控，动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期逐渐解决，即将IGBT与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。
双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。
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