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IGBT模块

  • FS800R07A2E3
    由于上述的原因,电子的态密度函数也发生了变化,块体材料是抛物线,电子在这上面可以自由运动;如果是量子点材料,它的态密度函数就像是单个的分子、原子那样,完全是孤立的 函数分布,基于这个特点,可制造功能强大的量子器件。大规模集成电路存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致芯片发热,从而限制了集成度,如果采用单个或几个电子做成的存储器,不但集成度可以提高,而且功耗问题也可以解决。目前的激光器效率不高,因为激光器的波长随着温度变化,一般来说随着温度增高波长要红移,所以现在光纤通信用的激光器都要控制温度。如果能用量子点激光器代替现有的量子阱激光器,这些问题就可迎刃而解了。
  • FZ400R12KE3
    基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟,广泛地应用于光通信 、移动 通讯、微波通讯 的领域。量子级联激光器是一个单极器件,是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源,在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。它对MBE制备工艺要求很高,整个器件结构几百到上千层,每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度,中国在此领域做出了国际先进水平的成果;又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦量子阱激光器 ,它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点,中国已有很好的研究基础;在量子点(线)材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成就。
  • FZ400R12KS4
    表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。
  • FZ400R17KE3
     带缓冲垫的四侧引脚扁平封装BQFP(quad flat package with bumper)

    QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右。陶瓷封装C-(ceramic)例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

    玻璃密封的陶瓷双列直插式封装Cerdip此类封装用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。

  • FZ400R17KE4
    COB(chip on board)

    板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。

    双列直插式封装DIP(dual in-line package)

    插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip。

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