UL认证要求热敏电阻产品在失去PTC特性前能保持1000小时的断路状态。在低于产品最高额定电压和电流的情况下可保持更长时间的断路状态。长时间处于断路状态可能会导致热敏电阻在复位后不能回复其初始电阻值和其它一些初始特性。每个热敏电阻的回复程度主要取决于故障条件和产品规格。这取决于所使用的产品规格。如果知道该种规格热敏电阻的电阻值和稳定工作状态下通过的电流，电压降一般是可以计算的。典型的电压降数值可由Rmax值求出，如果没有Rmax值，该电压降值为Rmin和Rl的平均值。若用Iop表示正常工作电流，Rp表示高分子PTC热敏电阻的电阻，则电路的电压降Vdrop可由公式:Vdrop=Iop×Rp求出。
由轴对称的引线(Lead)、在规定温度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及为防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和绝缘瓷管(ceramic insulator)构成。周围温度上升时特定的树脂混合物开始液化， 当达到熔点时在树脂混合物的帮助下(增大已熔化合金的表面张力)，已熔化合金在表面张力的作用下迅速以两端引线为中心收缩成球状，从而永久切断回路。由轴对称的引线(Lead)、在规定温度下可熔化的易熔合金(fusible alloy)及为防止其熔化氧化的特殊混合物(special compound)和绝缘瓷管(ceramic insulator)构成。
MEO 450-12DA
半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。
掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化（ionize）。掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n接面（p-n junction）的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。
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